长飞布局第三代半导体 全方位触角延伸

飞象网讯（马凑初/文）3月初10日消息，现在长飞光纤光缆持股母公司发布关于对外入股的公告称，已经在3月初8日改组了竞买合作项目，报名参与在江西长江动产交易所披露挂牌的《芜湖太赫兹施工区域内母公司与芜湖潜移默化晶圆母公司改组重组整体交易方案》的采购。其中都，长飞公司及公司全资公司武汉恭芯入股管理母公司出资人民币约 78,000 万元、竞买合作项目出资约人民币 142,967 万元。

本次交易启动后，长飞将直接转让潜移默化晶圆约34.92%的入股、通过太赫兹入股区域内和太赫兹入股基金间接转让潜移默化晶圆约2.18%的入股，总共转让潜移默化晶圆约37.10%的入股，潜移默化晶圆将成为长飞公司，太赫兹施工区域内将成为潜移默化晶圆公司，仅有纳入长飞改组财务报告范围内。

如今，随着客户效益的变化，以及企业自身工业发展的需要，长飞在巩固传统优势厂商的同时，大力工业发展个人化业务部门，此次交易也是长飞个人化举措的重要布局。

据了解，潜移默化晶圆及芜湖太赫兹施工区域内主要兼职以石墨（SiC）和钕镱（GaN）为代表的第三代晶圆厂商的工艺开发设计和制造，该等第三代晶圆器件厂商主要用于生物制药汽车、互联基站、光伏等无关信息技术。主要业务部门包括石墨和钕镱的密切相关、第三代晶圆输出功率及射频等无关芯片制造、输出功率模块和输出功率4门封装测试等全科技文化产业的开发设计生产及销售。其中都，潜移默化晶圆以外主要全权负责业务部门运营，太赫兹施工区域内主要全权负责转让业务部门运营所需的无关固定资产。

随着 5G、生物制药电动车等新兴应用对输出功率线圈效能效益提高，远比于第一代工艺硅（Si）、锗（Ge）以及第二代砷化镱（GaAs）和磷化铟（InP）对于高温、频率、输出功率已达短时间，很难应用在来得严苛环境上，第三代晶圆的石墨（SiC）及钕镱（GaN）在耐高温、高电流的环境下仍有极佳效能。

GaN 适合高频、中都高压信息技术（大于900V）属性，适合制作团队射频线圈（GaN RF 射频），如Wi-Fi、GPS取向、卫星通讯甚至是军用雷达。除了5G 射频、快充，GaN 未来工业发展重点：生物制药汽车和数据区域内。而SiC兼具高输出功率、来得高压（超过1200 V）的属性，适合用在特高压输电、风电、能源、储能及生物制药车。

2021年多个国家政策加码第三代晶圆科技产业，我国也不例外。其中都《中都华民国国民政府国民经济和社会工业发展第十四个五年规划和2035年从无到有目标纲要》中都的科技前沿信息技术攻关专栏的晶体管中都说明：“晶体管设计应用软件、重点装备和高纯靶材等关键因素工艺开发设计，晶体管技术工艺和绝缘栅双极性器件（IGBT）、微机电该系统（MEMS）等独具特色工艺突破，技术存储技术升级，石墨、钕镱等宽禁带晶圆工业发展。”以后科技部、工信部年初加大了对第三代晶圆科技产业的默许和投入力度。

无关机构预测：2025 年全球输出功率晶圆线圈及模组低价规模将达274 亿美元，其中都第三代晶圆SiC/GaN 低价占比从2021 年不到5%，拓展至2025 年约17%。